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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

IGBT是能源變換與傳輸?shù)暮诵钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”，作為國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣。

一般情況下流過IGBT模塊的電流較大，開關頻率較高，導致IGBT模塊器件的損耗也比較大，使得器件的溫度過高，而IGBT模塊散熱不好會造成損壞影響整機的工作運行。IGBT過熱的原因可能是驅動波形不好或電流過大或開關頻率太高，也可能由于散熱狀況不良。

溫度過高，模塊的工作效率會下降，進而影響整個工作進度。特別是那些需要連續(xù)工作的設備，對于IGBT模塊的依賴更大，需要有好的散熱系統(tǒng)來做保障。說起散熱方式，最常用的有被動式鰭片散熱，風冷散熱，這些散熱方式，成本較低，使用方便應用比較廣泛。但是也有很多的制約因素，熱量的堆積較多無法及時散出去，散熱效果很快達到瓶頸，這種情況下IGBT模塊面臨很大困境。

在這種情況下，新的散熱方式必然要取代傳統(tǒng)的散熱模式。而水冷散熱做為發(fā)展較快的方式，近些年來在散熱領域表現(xiàn)突出。水冷散熱利用了液體的比熱容大于空氣的特點，來快速充分的吸收熱量，經(jīng)過循環(huán)系統(tǒng)達到散熱冷排，把熱量散發(fā)出去，再重新回到水路系統(tǒng)。一直循環(huán)往復的過程，來不斷散熱，如果遇到峰值熱量，也可以更從容的應對。隨著水冷散熱技術的進步和不斷完善，如今的水冷散熱更加安全耐用，成本也隨之下降。雖然安裝和維護方面有些許不便，但是從長遠角度來看，水冷散熱技術值得投入使用。